Pseudobinary Al2Te3-Sb2Te3 material for high speed phase change memory application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Ren, K ; Rao, F ; song, zt(重点实验室） ; Lv, SL ; Cheng, Y ; Wu, LC ; Peng, C ; Zhou, XL ; Xia, MJ ; Liu, B(重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 100期号:5页码:52105 |
| 关键词 | Physics Applied |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1063/1.3680580 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115542]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ren, K,Rao, F,song, zt,et al. Pseudobinary Al2Te3-Sb2Te3 material for high speed phase change memory application[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2012,100(5):52105. |
| APA | Ren, K.,Rao, F.,song, zt.,Lv, SL.,Cheng, Y.,...&Feng, SL.(2012).Pseudobinary Al2Te3-Sb2Te3 material for high speed phase change memory application.APPLIED PHYSICS LETTERS,100(5),52105. |
| MLA | Ren, K,et al."Pseudobinary Al2Te3-Sb2Te3 material for high speed phase change memory application".APPLIED PHYSICS LETTERS 100.5(2012):52105. |
入库方式： OAI收割
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