An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, C ; song, zt(重点实验室） ; Wu, GP ; Liu, B(重点实验室） ; Wang, LH ; Xu, J ; Liu, Y ; Wang, L ; Yang, ZY ; Feng, SL(重点实验室） |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 29期号:3页码:38104 |
| 关键词 | Physics Multidisciplinary |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1088/0256-307X/29/3/038104 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115545]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, C,song, zt,Wu, GP,et al. An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2012,29(3):38104. |
| APA | Zhang, C.,song, zt.,Wu, GP.,Liu, B.,Wang, LH.,...&Feng, SL.(2012).An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector.CHINESE PHYSICS LETTERS,29(3),38104. |
| MLA | Zhang, C,et al."An Integrated Phase Change Memory Cell with Dual Trench Epitaxial Diode Selector".CHINESE PHYSICS LETTERS 29.3(2012):38104. |
入库方式： OAI收割
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