Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhu, M ; Wu, LC ; song, zt(重点实验室） ; Rao, F ; Cai, DL ; Peng, C ; Zhou, XL ; Ren, K ; Song, SN ; Liu, B(重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 100期号:12页码:122101 |
| 关键词 | Physics Applied |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1063/1.3695036 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115549]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhu, M,Wu, LC,song, zt,et al. Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2012,100(12):122101. |
| APA | Zhu, M.,Wu, LC.,song, zt.,Rao, F.,Cai, DL.,...&Feng, SL.(2012).Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed.APPLIED PHYSICS LETTERS,100(12),122101. |
| MLA | Zhu, M,et al."Ti10Sb60Te30 for phase change memory with high-temperature data retention and rapid crystallization speed".APPLIED PHYSICS LETTERS 100.12(2012):122101. |
入库方式： OAI收割
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