Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, Y ; song, zt(重点实验室） ; Liu, B(重点实验室） ; Wu, GP ; Chen, HP ; Zhang, C ; Wang, LH ; Feng, SL(重点实验室） |
| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 33期号:8页码:1192-1194 |
| 关键词 | Engineering Electrical & Electronic |
| ISSN号 | 0741-3106 |
| 学科主题 | Engineering |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1109/LED.2012.2199733 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115554]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, Y,song, zt,Liu, B,et al. Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2012,33(8):1192-1194. |
| APA | Liu, Y.,song, zt.,Liu, B.,Wu, GP.,Chen, HP.,...&Feng, SL.(2012).Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,33(8),1192-1194. |
| MLA | Liu, Y,et al."Optimization of 40-nm Node Epitaxial Diode Array for Phase-Change Memory Application".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS 33.8(2012):1192-1194. |
入库方式： OAI收割
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