Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for high-density phase change memory application
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhou, XL ; Wu, LC ; song, zt(重点实验室） ; Rao, F ; Zhu, M ; Peng, C ; Yao, DN ; Song, SN ; Liu, B(重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） |
| 刊名 | APPLIED PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 101期号:14页码:142104 |
| 关键词 | Physics Applied |
| ISSN号 | 0003-6951 |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1063/1.4757137 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115563]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhou, XL,Wu, LC,song, zt,et al. Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for high-density phase change memory application[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2012,101(14):142104. |
| APA | Zhou, XL.,Wu, LC.,song, zt.,Rao, F.,Zhu, M.,...&Feng, SL.(2012).Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for high-density phase change memory application.APPLIED PHYSICS LETTERS,101(14),142104. |
| MLA | Zhou, XL,et al."Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase change material: A candidate for high-density phase change memory application".APPLIED PHYSICS LETTERS 101.14(2012):142104. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。