Sb Rich Ge2Sb5Te5 Alloy for High-Speed Phase Change Random Access Memory Applications
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, Q ; Song, SN(重点实验室） ; Xu, F |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 29期号:10页码:107802 |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 关键词 | Physics Multidisciplinary |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1088/0256-307X/29/10/107802 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115564]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, Q,Song, SN,Xu, F. Sb Rich Ge2Sb5Te5 Alloy for High-Speed Phase Change Random Access Memory Applications[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2012,29(10):107802. |
| APA | Zhang, Q,Song, SN,&Xu, F.(2012).Sb Rich Ge2Sb5Te5 Alloy for High-Speed Phase Change Random Access Memory Applications.CHINESE PHYSICS LETTERS,29(10),107802. |
| MLA | Zhang, Q,et al."Sb Rich Ge2Sb5Te5 Alloy for High-Speed Phase Change Random Access Memory Applications".CHINESE PHYSICS LETTERS 29.10(2012):107802. |
入库方式： OAI收割
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