Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, X ; Liu, B(重点实验室） ; Peng, C ; Rao, F ; Zhou, XL ; Song, SN ; Wang, LY ; Cheng, Y ; Wu, LC ; Yao, DN ; song, zt(重点实验室） ; Feng, SL(重点实验室） |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS LETTERS
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 29期号:10页码:107201 |
| ISSN号 | 0256-307X |
| 关键词 | Physics Multidisciplinary |
| 通讯作者 | Liu, B (reprint author), Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China. |
| 学科主题 | Physics |
| 收录类别 | SCI |
| 原文出处 | 10.1088/0256-307X/29/10/107201 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-10 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115565]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, X,Liu, B,Peng, C,et al. Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory[J]. CHINESE PHYSICS LETTERS,2012,29(10):107201. |
| APA | Zhang, X.,Liu, B.,Peng, C.,Rao, F.,Zhou, XL.,...&Feng, SL.(2012).Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory.CHINESE PHYSICS LETTERS,29(10),107201. |
| MLA | Zhang, X,et al."Germanium Nitride as a Buffer Layer for Phase Change Memory".CHINESE PHYSICS LETTERS 29.10(2012):107201. |
入库方式： OAI收割
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