中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Nano-scale gap filling and mechanism of deposit-etch-deposit process for phase-change material

文献类型:期刊论文

作者Ren, WC ; Liu, B(重点实验室) ; song, zt(重点实验室) ; Xiang, YH ; Wang, ZT ; Zhang, BC ; Feng, SL(重点实验室)
刊名CHINESE PHYSICS B
出版日期2012
卷号21期号:11页码:115203
ISSN号1674-1056
关键词Physics Multidisciplinary
学科主题Physics
收录类别SCI
原文出处10.1088/1674-1056/21/11/115203
语种英语
公开日期2013-05-10
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115566]  
专题上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式
GB/T 7714
Ren, WC,Liu, B,song, zt,et al. Nano-scale gap filling and mechanism of deposit-etch-deposit process for phase-change material[J]. CHINESE PHYSICS B,2012,21(11):115203.
APA Ren, WC.,Liu, B.,song, zt.,Xiang, YH.,Wang, ZT.,...&Feng, SL.(2012).Nano-scale gap filling and mechanism of deposit-etch-deposit process for phase-change material.CHINESE PHYSICS B,21(11),115203.
MLA Ren, WC,et al."Nano-scale gap filling and mechanism of deposit-etch-deposit process for phase-change material".CHINESE PHYSICS B 21.11(2012):115203.

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。