组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈昌明 ; 潘浩昌 ; 黄建鸣 ; 朱德彰 ; 曹建清 ; 叶伯年 ; 胡钧 ; 李民乾 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 02 |
| 中文摘要 | 将组合技术和离子束技术结合起来;用于硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅 基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元──材料芯片;并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐 背散射、质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析。 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12475]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈昌明,潘浩昌,黄建鸣,等. 组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用[J]. 核技术,1999(02). |
| APA | 陈昌明.,潘浩昌.,黄建鸣.,朱德彰.,曹建清.,...&李民乾.(1999).组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用.核技术(02). |
| MLA | 陈昌明,et al."组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用".核技术 .02(1999). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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