组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱
文献类型：期刊论文
| 作者 | 缪中林 ; 陆卫 ; 陈平平 ; 李志锋 ; 刘平 ; 袁先漳 ; 蔡炜颖 ; 徐文兰 ; 沈学础 ; 陈昌明 ; 朱德彰 ; 胡军 ; 李明乾 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 06 |
| 中文摘要 | 用分子束外延系统 (MBE)生长了 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱 (ACDQW) ;用组合离子注入的方法 ;在同一块衬底上获得了不同注入离子 As+ 、 H+ 和不同注入剂量的 Ga As/ Al Ga As非对称耦合双量子阱单元 ;在未经快速热退火的条件下 ;于常温下测量了光调制反射光谱 ;发现各单元的子带间跃迁能量最大变化范围可达80 me V . |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12476]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪中林,陆卫,陈平平,等. 组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱[J]. 半导体学报,2001(06). |
| APA | 缪中林.,陆卫.,陈平平.,李志锋.,刘平.,...&李明乾.(2001).组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱.半导体学报(06). |
| MLA | 缪中林,et al."组合离子注入导致非对称耦合双量子阱界面混合效应光调制反射光谱".半导体学报 .06(2001). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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