组合注入质子导致不对称耦合双量子阱界面混合效应研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 缪中林 ; 陈平平 ; 蔡炜颖 ; 李志锋 ; 袁先漳 ; 刘平 ; 史国良 ; 徐文兰 ; 陆卫 ; 陈昌明 ; 朱德彰 ; 潘浩昌 ; 胡军 ; 李明乾 |
| 刊名 | 物理学报
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 01 |
| 中文摘要 | 用分子束外延系统 (MBE)生长了GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱 (ACDQW ) ;采用组合注入质子的方法 ;在同一块衬底上获得了不同注入剂量的GaAs/AlGaAs不对称耦合双量子阱单元 ;没有经过快速热退火的过程 ;在常温下测量了不同注入剂量量子阱单元的显微光荧光谱和光调制反射光谱 ;发现了各区域子带间跃迁能量最大变化范围达到 81meV .由于样品未作高温热退火处理 ;为此由Al组分误差函数模型推导的扩散长度要大大高于扩散系数公式 .耦合量子阱的界面混合效应对于质子注入非常敏感 . |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/12477]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 缪中林,陈平平,蔡炜颖,等. 组合注入质子导致不对称耦合双量子阱界面混合效应研究[J]. 物理学报,2001(01). |
| APA | 缪中林.,陈平平.,蔡炜颖.,李志锋.,袁先漳.,...&李明乾.(2001).组合注入质子导致不对称耦合双量子阱界面混合效应研究.物理学报(01). |
| MLA | 缪中林,et al."组合注入质子导致不对称耦合双量子阱界面混合效应研究".物理学报 .01(2001). |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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