硫化镉裸量子点及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 汪勇先 ; 许荣辉 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种硫化镉裸量子点，其为颗粒状纳米晶，其荧光发射峰λmax为415－420nm，半高峰宽为80～100nm。本发明还公开了其采用水热合成法，将Cd/S摩尔比为1～1.2∶1的水溶性无机镉盐与L－半胱氨酸，在pH9～13的反应体系中进行反应的制备方法。本发明方法简单、易操作，成本低；制备出了＜10nm的不同粒径的CdS裸量子点，与现有产品相比，具有稳定性高、荧光发射峰形好、半高峰宽较窄、单色性好等优点，既为裸量子点的表面修饰赢得了宝贵的时间，又提高了其荧光性能，使之经过表面修饰等后续处理后可用于生物组织标记。 |
| 学科主题 | C09K11/56 |
| 公开日期 | 2013-01-23 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200510031067 |
| 专利代理 | 薛琦 |
| 源URL | [http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10572]  |
| 专题 | 上海应用物理研究所_中科院上海应用物理研究所2004-2010年 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪勇先,许荣辉. 硫化镉裸量子点及其制备方法. |
入库方式： OAI收割
来源：上海应用物理研究所
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