铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈诺夫
|
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2003-05-08 |
| 卷号 | 24期号:5页码:494-498 |
| 关键词 | 铁磁/半导体异质结 物理气相沉积 MnSb |
| 通讯作者 | 彭长涛 |
| 中文摘要 | 采用一种新的生长铁磁 /半导体异质结材料的方法——物理气相沉积方法生长了一种铁磁 /半导体异质结材料 Mn Sb/Si.对所获得的样品进行特征 X射线能谱分析表明 Mn和 Sb在 Si衬底上的沉积速率相近 ,它们的原子百分数之比接近 1∶ 1.X射线衍射分析发现薄膜中形成了 Mn Sb相 ,样品在室温下测出磁滞回线也从侧面验证了存在 Mn Sb相 .用原子力显微镜对样品的表面进行观察 ,发现 Mn Sb呈有规则形状的小晶粒状 ,晶粒大小比较均匀 ,尺寸大多数在 5 0 0 nm左右 . |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-08-03 ; 2010-08-20 |
| 源URL | [http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/42108]  |
| 专题 | 力学研究所_力学所知识产出(1956-2008) |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈诺夫. 铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长[J]. 半导体学报,2003,24(5):494-498. |
| APA | 陈诺夫.(2003).铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长.半导体学报,24(5),494-498. |
| MLA | 陈诺夫."铁磁/半导体异质结材料MnSb/Si的物理气相沉积生长".半导体学报 24.5(2003):494-498. |
入库方式： OAI收割
来源：力学研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。