Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al 0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Luan, Chongbiao ; Lin, Zhaojun ; Feng, Zhihong ; Meng, Lingguo ; Lv, Yuanjie ; Cao, Zhifang ; Yu, Yingxia ; Wang, Zhanguo |
| 刊名 | journal of applied physics
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 112期号:5页码:00218979 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-07 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23967]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Luan, Chongbiao,Lin, Zhaojun,Feng, Zhihong,et al. Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al 0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors[J]. journal of applied physics,2012,112(5):00218979. |
| APA | Luan, Chongbiao.,Lin, Zhaojun.,Feng, Zhihong.,Meng, Lingguo.,Lv, Yuanjie.,...&Wang, Zhanguo.(2012).Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al 0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors.journal of applied physics,112(5),00218979. |
| MLA | Luan, Chongbiao,et al."Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al 0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors".journal of applied physics 112.5(2012):00218979. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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