Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (0 0 1) substrates
文献类型:期刊论文
作者 | Li, Yanbo ; Zhang, Yang ; Zhang, Yuwei ; Wang, Baoqiang ; Zhu, Zhanping ; Zeng, Yiping |
刊名 | applied surface science
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出版日期 | 2012 |
卷号 | 258期号:17页码:6571-6575 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | EI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-05-07 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23982] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Li, Yanbo,Zhang, Yang,Zhang, Yuwei,et al. Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (0 0 1) substrates[J]. applied surface science,2012,258(17):6571-6575. |
APA | Li, Yanbo,Zhang, Yang,Zhang, Yuwei,Wang, Baoqiang,Zhu, Zhanping,&Zeng, Yiping.(2012).Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (0 0 1) substrates.applied surface science,258(17),6571-6575. |
MLA | Li, Yanbo,et al."Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (0 0 1) substrates".applied surface science 258.17(2012):6571-6575. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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