Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu, Guipeng ; Wu, Ju ; Zhao, Guijuan ; Liu, Shuman ; Mao, Wei ; Hao, Yue ; Liu, Changbo ; Yang, Shaoyan ; Liu, Xianglin ; Zhu, Qinsheng ; Wang, Zhanguo |
| 刊名 | applied physics letters
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 100期号:8页码:082101 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-07 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23986]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, Guipeng,Wu, Ju,Zhao, Guijuan,et al. Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures[J]. applied physics letters,2012,100(8):082101. |
| APA | Liu, Guipeng.,Wu, Ju.,Zhao, Guijuan.,Liu, Shuman.,Mao, Wei.,...&Wang, Zhanguo.(2012).Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures.applied physics letters,100(8),082101. |
| MLA | Liu, Guipeng,et al."Impact of the misfit dislocations on two-dimensional electron gas mobility in semi-polar AlGaN/GaN heterostructures".applied physics letters 100.8(2012):082101. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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