Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled InAs quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities
文献类型：期刊论文
| 作者 | Peng, Y.S ; Xu, B ; Ye, X.L ; Jin, P ; Wang, Z.G |
| 刊名 | microelectronic engineering
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 93页码:1-4 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-07 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24036]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Peng, Y.S,Xu, B,Ye, X.L,et al. Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled InAs quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities[J]. microelectronic engineering,2012,93:1-4. |
| APA | Peng, Y.S,Xu, B,Ye, X.L,Jin, P,&Wang, Z.G.(2012).Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled InAs quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities.microelectronic engineering,93,1-4. |
| MLA | Peng, Y.S,et al."Effect of rapid thermal annealing on the luminescence of self-assembled InAs quantum dots embedded in GaAs-based photonic crystal nanocavities".microelectronic engineering 93(2012):1-4. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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