Photoluminescence study of two layer stacked InAs/GaAs quantum dots
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Wei, Quanxiang; Wu, Bingpeng; Ren, Zhengwei; He, Zhenhong; Niu, Zhichuan |
| 刊名 | guangxue xuebao/acta optica sinica
 ; Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica
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| 出版日期 | 2012 ; 2012 |
| 卷号 | 32期号:1 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-07 ; 2013-05-07 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23949]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei, Quanxiang,Wu, Bingpeng,Ren, Zhengwei,et al. Photoluminescence study of two layer stacked InAs/GaAs quantum dots, Photoluminescence study of two layer stacked InAs/GaAs quantum dots[J]. guangxue xuebao/acta optica sinica, Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica,2012, 2012,32, 32(1). |
| APA | Wei, Quanxiang,Wu, Bingpeng,Ren, Zhengwei,He, Zhenhong,&Niu, Zhichuan.(2012).Photoluminescence study of two layer stacked InAs/GaAs quantum dots.guangxue xuebao/acta optica sinica,32(1). |
| MLA | Wei, Quanxiang,et al."Photoluminescence study of two layer stacked InAs/GaAs quantum dots".guangxue xuebao/acta optica sinica 32.1(2012). |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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