Effect of dual buffer layer structure on the epitaxial growth of AlN on sapphire
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhao, D.G ; Jiang, D.S ; Wu, L.L ; Le, L.C ; Li, L ; Chen, P ; Liu, Z.S ; Zhu, J.J ; Wang, H ; Zhang, S.M ; Yang, H |
| 刊名 | journal of alloys and compounds
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 544页码:94-98 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-07 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23989]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhao, D.G,Jiang, D.S,Wu, L.L,et al. Effect of dual buffer layer structure on the epitaxial growth of AlN on sapphire[J]. journal of alloys and compounds,2012,544:94-98. |
| APA | Zhao, D.G.,Jiang, D.S.,Wu, L.L.,Le, L.C.,Li, L.,...&Yang, H.(2012).Effect of dual buffer layer structure on the epitaxial growth of AlN on sapphire.journal of alloys and compounds,544,94-98. |
| MLA | Zhao, D.G,et al."Effect of dual buffer layer structure on the epitaxial growth of AlN on sapphire".journal of alloys and compounds 544(2012):94-98. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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