Structural and optoelectronic properties of selenium-doped silicon formed using picosecond pulsed laser mixing
文献类型：期刊论文
| 作者 | Hu, Shaoxu ; Han, Peide ; Wang, Shuai ; Mao, Xue ; Li, Xinyi ; Gao, Lipeng |
| 刊名 | hu, shaoxu ; han, peide ; wang, shuai ; mao, xue ; li, xinyi ; gao, lipeng
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 209期号:12页码:2521-2526 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-05-13 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24051]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Hu, Shaoxu,Han, Peide,Wang, Shuai,et al. Structural and optoelectronic properties of selenium-doped silicon formed using picosecond pulsed laser mixing[J]. hu, shaoxu ; han, peide ; wang, shuai ; mao, xue ; li, xinyi ; gao, lipeng,2012,209(12):2521-2526. |
| APA | Hu, Shaoxu,Han, Peide,Wang, Shuai,Mao, Xue,Li, Xinyi,&Gao, Lipeng.(2012).Structural and optoelectronic properties of selenium-doped silicon formed using picosecond pulsed laser mixing.hu, shaoxu ; han, peide ; wang, shuai ; mao, xue ; li, xinyi ; gao, lipeng,209(12),2521-2526. |
| MLA | Hu, Shaoxu,et al."Structural and optoelectronic properties of selenium-doped silicon formed using picosecond pulsed laser mixing".hu, shaoxu ; han, peide ; wang, shuai ; mao, xue ; li, xinyi ; gao, lipeng 209.12(2012):2521-2526. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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