钼酸钆晶体生长及性能测试
文献类型：学位论文
| 作者 | 邹宇琦 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 1999 |
| 授予单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 导师 | 罗遵度 |
| 关键词 | 钼酸钆 晶体生长 晶体性能 |
| 中文摘要 | 本文论叙了钼酸钆晶体的生长、结构表征、光谱和非线性光学性能研究。在晶体生长方面我们讨论了用三种不同的生长方法即熔盐法、熔盐提拉法、中频感应提拉法对钼酸钆晶体进行的生长。我们认为钼酸钆晶体生长中控制三氧化钼的挥发最为重要。采用中频感应提拉法沿（1-bar10）方向生长出高质量的掺钕钼酸钆晶体，晶体大小为φ42 * 30mm。钼酸钆晶体容易解理，解理面为[001]、[110]面。包裹体的引进是由于三氧化钼的挥发导致熔体组分偏离。相变和包裹体是导致晶体开裂的主要原因。掺钕钼酸钆晶体在初始钕离子浓度为3at%的条件下，分凝系数K_0 > 1.我们发现了钼酸钆的一个新相，P4-bar21相。钆为七配位，钆氧多面体为单帽三棱柱，钼为四配位，形成钼氧四面体，钆氧多面体和钼氧四面体通过共顶点连接起来。在20 ℃时的晶胞参数：a = b = 7.3566(10)A, c = 10.685(2)A。通过测定不同钕离子浓度正交相粉末样品的荧光谱和荧光寿命，讨论了浓度猝灭现象。用TPM方法计算出J -O参数：Ω_2 = 8.54 * 10~(-20) cm~2, Ω_4 = 5.53 * 10~(-20) cm~2和Ω_6 = 6.78 * 10~(-20) cm~2。拟合出激光上能级~4F_(3/2)的本征荧光寿命为136μs, 辐射寿命为157μs，计算得荧光量子效率为86%。我们还测量出掺钼酸钆晶体在1.064μm波段的I类相位匹配方向为θ = 66°，#phi# = 63°，与计算不掺杂钼酸扎晶体在1.064m波段的I类1.064μm波段的I类相位匹配方向θ = 65.87°, #phi# = 45°有一定的偏离。我们认为偏离的主要原因是钕离子的分凝系数不为1，即不同位置钕离子的掺杂比例不同，而在不同钕离子浓度的条件下折射率不同，导致相位匹配方向的偏离。测定了基波为1060nm, 1070nm条件下的允许角(ΔθL)分别为2.31mrad·cm, 1.83mrad.cm;走离角分别为22.86mrad, 50.62mrad。1064nm倍频光的转换效率仅1%。转换效率低的主要原因是钕离子在532nm有较强的吸收。钕离子的不同浓度分布引起相位匹配方向不一致，导致转换效率降低。用单光束扫描法测定了三阶非线性系数和三阶非线性折射率：χ~((3)) = -3.36 * 10~(-21) · m~2/W, n_2 = -1.55 * 10~(-15) (esu)。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-05-07 |
| 页码 | 98 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/350002/7008]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邹宇琦. 钼酸钆晶体生长及性能测试[D]. 中国科学院福建物质结构研究所. 中国科学院福建物质结构研究所. 1999. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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