生长条件对Nb:KTP晶体生长及其非线性光学性能的影响的研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 史宏声 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2000 |
| 授予单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 授予地点 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 导师 | 沈鸿元 |
| 关键词 | KTP晶体 光学性质 晶体生长 |
| 中文摘要 | 本文论述了掺铌KTP晶体的生长特性及其非线性光学性能的研究工作。首先对KTP晶体及其掺杂改性晶体的性能与应用进行了论述。其次，研究了不同生长工艺条件下晶体所表现出来的不同的生长习性，在磷酸盐和钨酸盐助熔剂体系中分别得到了尺寸为4 * 70 * 20mm和15 * 17 * 14mm(a * b * c)的透明晶体，研究过程中发现铌的掺入增加了晶体生长的困难，使晶体生长习性发生了比较大的变化。将这两种助熔剂体系中晶体的生长习性进行比较，发现钨酸盐助熔剂体系中晶体更容易生长。还发现磷酸盐助熔剂体系中的原料中掺铌量相同而熔质在熔体中浓度不同时，生长出的Nb:KTP晶体中铌的含量是不同的，熔质浓度高生长温度高铌掺入量大，铌掺入晶格越多晶体光学性能改变越大。最后，采用自准直法，测定了原料中（磷酸盐助熔剂体系）KTP/K_6质量比为40%，Nb/KTP摩尔比为3%的熔体中生长出的Nb:KTP晶体在不同温度（15-150 ℃）下在488nm、632.8nm、1079.5nm、1341.4nm的折射率，由此获得了室温下该晶体Sellmeier's方程，以及该晶体折射率温度系数的色散方程，由Sellmeier's方程计算出相应波长的折射率值，利用IBM微机计算该晶体对1064nm激光II类倍频的最佳相位匹配角，结果为θ = 90°，#phi# = 11.97°。为了验证计算结果的正确性，用1064nmNd:YAG激光实验测定了该晶体的最佳相位匹配角为θ = 90°，#phi# = 12.70°，两者误差小于1°。基于得到的Sellmeier's方程算得该晶体对1064nm辐射的临界相位匹配条件下的离散角为0.2°，该值略小于纯KTP晶体相同条件下的离散角。将这些结果与文献相比较，发现Nb:KTP晶体中Nb的含量既与生长该Nb:KTP晶体所用原料中铌的含量有关，也与原料中熔质的浓度有关。因此，可以在特定的原料配比下生长出对1064nm辐射实现非临界匹配的Nb:KTP晶体。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-05-07 |
| 页码 | 70 |
| 源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/350002/7020]  |
| 专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 史宏声. 生长条件对Nb:KTP晶体生长及其非线性光学性能的影响的研究[D]. 中国科学院福建物质结构研究所. 中国科学院福建物质结构研究所. 2000. |
入库方式： OAI收割
来源：福建物质结构研究所
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