中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
新颖多元稀土硫属化合物PrSbTe、β-LaGaS3和La2Ga2GeS8的合成、结构、性能及理论研究

文献类型:学位论文

作者李鹏
学位类别硕士
答辩日期2009-06-02
授予单位中国科学院福建物质结构研究所
授予地点福建物质结构研究所
导师吴立明
关键词稀土硫属化合物 固相反应 晶体结构 能带结构
其他题名Syntheses, Structures, Properties and Theoretical Studies of Novel Rare-Earth Chalcogenides: PrSbTe, β-LaGaS3 and La2Ga2GeS8
学位专业物理化学(含:化学物理)
中文摘要近几年来,含稀土元素的硫属化合物由于结构多样性,独特的成键作用和丰富的物理性质,引起了化学家们的广泛兴趣。本论文的主要内容是含有稀土元素的三类新颖硫属化合物PrSbTe, β-LaGaS3和La2Ga2GeS8的合成,结构,性能和理论研究。 第一章主要总结了三元稀土硫化物的研究现状,合成方法及本论文的研究内容。 第二章主要介绍所用的化学药品、测试仪器以及计算方法。 第三章在已知文献的基础上,探索合成了三元化合物PrSbTe。分析了由规则Sb层、zig-zag排列的Te层和Pr3+离子所组成的结构。由于镧系收缩的原因,导致原子间的作用发生了变化,使得RESbTe的结构也发生了变化。从LaSbTe和CeSbTe的Pmcn(62)变成PrSbTe的P4/nmm(129)。为了证明结构的正确性,我们用内标过的XRD图谱模拟了晶胞参数,得到了一致的结构,证明的PrSbTe四方晶系的可靠性。ICP测试结果也确认了化合物中元素的比例。理论计算表明PrSbTe是一个半金属的化合物,Pr与Sb/Te之间有离子键的相互作用,这与晶体结构是相互吻合的。 第四章主要介绍采用高温固相的方法成功合成的β-LaGaS3化合物,在已知文献的基础上对REGaS体系做出了进一步的拓展。我们通过单晶衍射和XRD分析的方法确定其结构和晶胞参数。紫外漫反射测试表明β-LaGaS3属于半导体化合物,通过测试非线性光学性能,我们了解到β-LaGaS3具有比较弱的二阶非线性性能。理论计算的结果验证了β-LaGaS3的半导体特性,其应为具有间接能隙的半导体化合物。 第五章讨论了化合物La2Ga2GeS8的合成,结构和电子结构。La2Ga2GeS8属于正交晶系,Cmc21(36)空间群,皮尔森符号为oC52。晶胞参数为:a=17.696(7) Å,b=5.806(2)Å,c=11.419(4)Å,Z = 4。它的结构可以看作是Ga-S四面体和Ge-S四面体所组成的层状结构沿着c方向堆积,而稀土离子La3+作为夹层离子位于层与层之间。量化计算表明La2Ga2GeS8是半导体的化合物。 第六章主要是对本论文的工作进行总结,并展望了下一阶段的工作重点。
语种中文
公开日期2013-05-09
页码87
源URL[http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/350002/7748]  
专题福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_学位论文
推荐引用方式
GB/T 7714
李鹏. 新颖多元稀土硫属化合物PrSbTe、β-LaGaS3和La2Ga2GeS8的合成、结构、性能及理论研究[D]. 福建物质结构研究所. 中国科学院福建物质结构研究所. 2009.

入库方式: OAI收割

来源:福建物质结构研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。