新颖多元稀土硫属化合物PrSbTe、β-LaGaS3和La2Ga2GeS8的合成、结构、性能及理论研究
文献类型:学位论文
作者 | 李鹏 |
学位类别 | 硕士 |
答辩日期 | 2009-06-02 |
授予单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
授予地点 | 福建物质结构研究所 |
导师 | 吴立明 |
关键词 | 稀土硫属化合物 固相反应 晶体结构 能带结构 |
其他题名 | Syntheses, Structures, Properties and Theoretical Studies of Novel Rare-Earth Chalcogenides: PrSbTe, β-LaGaS3 and La2Ga2GeS8 |
学位专业 | 物理化学(含:化学物理) |
中文摘要 | 近几年来,含稀土元素的硫属化合物由于结构多样性,独特的成键作用和丰富的物理性质,引起了化学家们的广泛兴趣。本论文的主要内容是含有稀土元素的三类新颖硫属化合物PrSbTe, β-LaGaS3和La2Ga2GeS8的合成,结构,性能和理论研究。 第一章主要总结了三元稀土硫化物的研究现状,合成方法及本论文的研究内容。 第二章主要介绍所用的化学药品、测试仪器以及计算方法。 第三章在已知文献的基础上,探索合成了三元化合物PrSbTe。分析了由规则Sb层、zig-zag排列的Te层和Pr3+离子所组成的结构。由于镧系收缩的原因,导致原子间的作用发生了变化,使得RESbTe的结构也发生了变化。从LaSbTe和CeSbTe的Pmcn(62)变成PrSbTe的P4/nmm(129)。为了证明结构的正确性,我们用内标过的XRD图谱模拟了晶胞参数,得到了一致的结构,证明的PrSbTe四方晶系的可靠性。ICP测试结果也确认了化合物中元素的比例。理论计算表明PrSbTe是一个半金属的化合物,Pr与Sb/Te之间有离子键的相互作用,这与晶体结构是相互吻合的。 第四章主要介绍采用高温固相的方法成功合成的β-LaGaS3化合物,在已知文献的基础上对REGaS体系做出了进一步的拓展。我们通过单晶衍射和XRD分析的方法确定其结构和晶胞参数。紫外漫反射测试表明β-LaGaS3属于半导体化合物,通过测试非线性光学性能,我们了解到β-LaGaS3具有比较弱的二阶非线性性能。理论计算的结果验证了β-LaGaS3的半导体特性,其应为具有间接能隙的半导体化合物。 第五章讨论了化合物La2Ga2GeS8的合成,结构和电子结构。La2Ga2GeS8属于正交晶系,Cmc21(36)空间群,皮尔森符号为oC52。晶胞参数为:a=17.696(7) Å,b=5.806(2)Å,c=11.419(4)Å,Z = 4。它的结构可以看作是Ga-S四面体和Ge-S四面体所组成的层状结构沿着c方向堆积,而稀土离子La3+作为夹层离子位于层与层之间。量化计算表明La2Ga2GeS8是半导体的化合物。 第六章主要是对本论文的工作进行总结,并展望了下一阶段的工作重点。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2013-05-09 |
页码 | 87 |
源URL | [http://ir.fjirsm.ac.cn/handle/350002/7748] ![]() |
专题 | 福建物质结构研究所_中科院福建物质结构研究所_学位论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李鹏. 新颖多元稀土硫属化合物PrSbTe、β-LaGaS3和La2Ga2GeS8的合成、结构、性能及理论研究[D]. 福建物质结构研究所. 中国科学院福建物质结构研究所. 2009. |
入库方式: OAI收割
来源:福建物质结构研究所
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