铊(Ⅰ)离子电化学传感器的研究 1.光聚合铊离子敏感膜电极
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴国梁 ; 王凤琴 ; 沈彩娣 ; 钱国英 ; 谭干祖 ; 焦天权 ; 邹子亚 |
| 刊名 | 分析化学
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| 出版日期 | 1993-05-01 |
| 期号 | 4页码:392-395 |
| 关键词 | 光聚合敏感膜 冠醚 肉桂酸酯 铊(1)离子选择电极 |
| 中文摘要 | 以合成的二种含16-冠-5衍生物的肉桂酸酯分别制得光聚合敏感膜涂铜棒和PVC膜铊(1)离子电极。涂铜棒电极对Tl~+的响应线性范围为3×10~(-5)～1×10~(-2)mol/L,斜率为48mV/pTl~+,选择系数K_(Tl)_+~(pot),k~+=0.12比之相应的PVC膜电极有较长的寿命。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-05-17 |
| 源URL | [http://ir.isl.ac.cn/handle/363002/1387]  |
| 专题 | 青海盐湖研究所_青海盐湖研究所知识仓储 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴国梁,王凤琴,沈彩娣,等. 铊(Ⅰ)离子电化学传感器的研究 1.光聚合铊离子敏感膜电极[J]. 分析化学,1993(4):392-395. |
| APA | 吴国梁.,王凤琴.,沈彩娣.,钱国英.,谭干祖.,...&邹子亚.(1993).铊(Ⅰ)离子电化学传感器的研究 1.光聚合铊离子敏感膜电极.分析化学(4),392-395. |
| MLA | 吴国梁,et al."铊(Ⅰ)离子电化学传感器的研究 1.光聚合铊离子敏感膜电极".分析化学 .4(1993):392-395. |
入库方式： OAI收割
来源：青海盐湖研究所
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