Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires
文献类型：期刊论文
| 作者 | Han XB ; Kou LZ ; Lang XL ; Xia JB ; Wang N ; Qin R ; Lu J ; Xu J ; Liao ZM ; Zhang XZ ; Shan XD ; Song XF ; Gao JY ; Guo WL ; Yu DP |
| 刊名 | advanced materials
 |
| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 21期号:48页码:4937 |
| 关键词 | QUANTUM WIRES SI SUBSTRATE STRAIN ARRAYS PHOTOLUMINESCENCE SILICON |
| 通讯作者 | guo, wl, nanjing univ aeronaut & astronaut, inst nanosci, nanjing 210016, peoples r china. e-mail address: wlguo@nuaa.edu.cn ; yudp@pku.edu.cn |
| 合作状况 | 其它 |
| 学科主题 | 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-04-04 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10202]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Han XB,Kou LZ,Lang XL,et al. Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires[J]. advanced materials,2009,21(48):4937. |
| APA | Han XB.,Kou LZ.,Lang XL.,Xia JB.,Wang N.,...&Yu DP.(2009).Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires.advanced materials,21(48),4937. |
| MLA | Han XB,et al."Electronic and Mechanical Coupling in Bent ZnO Nanowires".advanced materials 21.48(2009):4937. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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