GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang H; Zhu JJ ; Yang H; Yang H; Jiang DS; Zhao DG; Zhang SM; Wang H
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| 刊名 | chinese physics b
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| 出版日期 | 2009 |
| 卷号 | 18期号:12页码:5350-5353 |
| 关键词 | GaN laser diode mounting configuration active region temperature CONTINUOUS-WAVE OPERATION |
| 通讯作者 | yang, h, chinese acad sci, inst semicond, state key lab integrated optoelect, beijing 100083, peoples r china. e-mail address: lqzhang@semi.ac.cn ; hyang@red.semi.ac.cn |
| 合作状况 | 其它 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 资助信息 | national natural science foundation of china 60506001 60776047 60476021 60576003 60836003；national basic research programme of china 2007cb936700 |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-04-05 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/10215]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang H,Zhu JJ,Yang H,et al. GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate[J]. chinese physics b,2009,18(12):5350-5353. |
| APA | Wang H.,Zhu JJ.,Yang H.,Yang H.,Jiang DS.,...&Wang H.(2009).GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate.chinese physics b,18(12),5350-5353. |
| MLA | Wang H,et al."GaN-based violet laser diodes grown on free-standing GaN substrate".chinese physics b 18.12(2009):5350-5353. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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