半导体材料电子非电离能损的分析法计算
文献类型：期刊论文
| 作者 | 于新; 何承发 ; 郭旗; 张兴尧; 吴雪; 张乐情; 卢建; 胥佳灵; 胡天乐
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| 刊名 | 核电子学与探测技术
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 32期号:7页码:820-825 |
| 关键词 | 非电离能损 mott散射截面 林哈德因子 分子动力学模型 |
| ISSN号 | 0258-0934 |
| 中文摘要 | 非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NIEL,及微分散射截面、林哈德因子和位移原子数量等信息。考虑到经典NIEL模型在入射电子能量较低的情况下得出的位移原子数量不够精确,所以用分子动力学(MD)方法加以改良,得出在低能区域更真实的位移原子数量,用于修正经典NIEL,并分析了MD模型下新的位移阈值能对计算结果的影响。 |
| 英文摘要 | The non － ionizing energy loss( NIEL) can be used to predict device degradation caused by diaplacement damage in space radiation environment． NIEL，scattering cross section，Lindhard partition factor and displacements number for electrons on Gi，Ge and GaAs，ranges from 100 keV to 200 MeV，are calculated via classical NIEL model． Considering that classical NIEL model fall to give an accurate displacements number at low energy region ，the displacement damage generation mechanism is refined by molecular dynamics ( MD) techniques，which gives a real amount of displacements used to modify classical NIEL． And how the new displacement threshold energy in MD influences calculation results is discussed ． |
| 公开日期 | 2013-05-16 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2430]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 于新,何承发,郭旗,等. 半导体材料电子非电离能损的分析法计算[J]. 核电子学与探测技术,2012,32(7):820-825. |
| APA | 于新.,何承发.,郭旗.,张兴尧.,吴雪.,...&胡天乐.(2012).半导体材料电子非电离能损的分析法计算.核电子学与探测技术,32(7),820-825. |
| MLA | 于新,et al."半导体材料电子非电离能损的分析法计算".核电子学与探测技术 32.7(2012):820-825. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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