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不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 费武雄; 陆妩 ; 任迪远; 郑玉展; 王义元; 陈睿; 王志宽; 杨永晖; 李茂顺; 兰博
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| 刊名 | 原子能科学技术
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| 出版日期 | 2011 |
| 卷号 | 45期号:2页码:217-222 |
| 关键词 | NPN双极晶体管 60Coγ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| 中文摘要 | 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。 |
| 英文摘要 | At various dose rates，ionizing radiation response of NPN bipolar transistors at three kinds of base—emitter j unction biases was investigated． The results show that the’radiation damages are most significant at base—emitter j unction reverse bias and mini— m3I at forward bias when irradiated at high or Iow dose rate．Furthermore，the radiation dam age iS m ore severe at low dose rate for the same bias，i．e． enhanced lOW dose rate sensitivity (ELDRS)． The influence of base—emitter i unction bias on El DRS effect iS obvious．The ELDRS effect is most significant for base-emitter j unction forward bias，while it is least for reverse bias．The mechanisms of these results were discussed． |
| 资助信息 | 模拟集成电路国家重点实验室资助项目(9140C090403070C09) |
| 公开日期 | 2013-05-24 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/2452]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_新疆维吾尔自治区电子信息材料与器件重点实验室 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 作者单位 | 中国科学院新疆理化技术研究所；新疆电子信息材料与器件重点实验室；中国科学院研究生院；模拟集成电路国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 费武雄,陆妩,任迪远,等. 不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应[J]. 原子能科学技术,2011,45(2):217-222. |
| APA | 费武雄.,陆妩.,任迪远.,郑玉展.,王义元.,...&赵云.(2011).不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应.原子能科学技术,45(2),217-222. |
| MLA | 费武雄,et al."不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应".原子能科学技术 45.2(2011):217-222. |
入库方式： OAI收割
来源：新疆理化技术研究所
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