掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性
文献类型：期刊论文
| ; | |
| 作者 | 陈燕,邓爱红,汤宝,王国伟,徐应强,牛智川 |
| 刊名 | 红外与毫米波学报
 ; 红外与毫米波学报
|
| 出版日期 | 2012 ; 2012 |
| 卷号 | 31期号:4页码:298-301 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 ; 中文 |
| 公开日期 | 2013-05-29 ; 2013-05-29 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24104]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈燕,邓爱红,汤宝,王国伟,徐应强,牛智川. 掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性, 掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性[J]. 红外与毫米波学报, 红外与毫米波学报,2012, 2012,31, 31(4):298-301, 298-301. |
| APA | 陈燕,邓爱红,汤宝,王国伟,徐应强,牛智川.(2012).掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性.红外与毫米波学报,31(4),298-301. |
| MLA | 陈燕,邓爱红,汤宝,王国伟,徐应强,牛智川."掺Te的GaSb薄膜分子束外延生长及缺陷特性".红外与毫米波学报 31.4(2012):298-301. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。