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基于SOI的2×2 MMI耦合器的设计

文献类型:期刊论文

作者董夏叶,李鸿强,陈弘达,李恩邦,柳智慧,魏可嘉
刊名激光与光电子学进展
出版日期2012
卷号49期号:9页码:090602-1-090602-7
学科主题光电子学
收录类别CSCD
语种中文
公开日期2013-05-29
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24121]  
专题半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
董夏叶,李鸿强,陈弘达,李恩邦,柳智慧,魏可嘉. 基于SOI的2×2 MMI耦合器的设计[J]. 激光与光电子学进展,2012,49(9):090602-1-090602-7.
APA 董夏叶,李鸿强,陈弘达,李恩邦,柳智慧,魏可嘉.(2012).基于SOI的2×2 MMI耦合器的设计.激光与光电子学进展,49(9),090602-1-090602-7.
MLA 董夏叶,李鸿强,陈弘达,李恩邦,柳智慧,魏可嘉."基于SOI的2×2 MMI耦合器的设计".激光与光电子学进展 49.9(2012):090602-1-090602-7.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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