InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作
文献类型：期刊论文
| 作者 | 马丽,朱洪亮,陈明华,张灿,王宝军,边静 |
| 刊名 | 光子学报
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 41期号:3页码:299-302 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-06-03 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24141]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马丽,朱洪亮,陈明华,张灿,王宝军,边静. InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作[J]. 光子学报,2012,41(3):299-302. |
| APA | 马丽,朱洪亮,陈明华,张灿,王宝军,边静.(2012).InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作.光子学报,41(3),299-302. |
| MLA | 马丽,朱洪亮,陈明华,张灿,王宝军,边静."InP基1×4多模干涉耦合器的设计与制作".光子学报 41.3(2012):299-302. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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