双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究
文献类型:期刊论文
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作者 | 魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川 |
刊名 | 光学学报
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出版日期 | 2012 ; 2012 |
卷号 | 32期号:1页码:0125001-1-0125001-6 |
学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 ; 中文 |
公开日期 | 2013-06-03 ; 2013-06-03 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24151] ![]() |
专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川. 双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究, 双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究[J]. 光学学报, 光学学报,2012, 2012,32, 32(1):0125001-1-0125001-6, 0125001-1-0125001-6. |
APA | 魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川.(2012).双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究.光学学报,32(1),0125001-1-0125001-6. |
MLA | 魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川."双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究".光学学报 32.1(2012):0125001-1-0125001-6. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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