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双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究

文献类型:期刊论文

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作者魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川
刊名光学学报 ; 光学学报
出版日期2012 ; 2012
卷号32期号:1页码:0125001-1-0125001-6
学科主题半导体物理 ; 半导体物理
收录类别CSCD
语种中文 ; 中文
公开日期2013-06-03 ; 2013-06-03
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24151]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川. 双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究, 双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究[J]. 光学学报, 光学学报,2012, 2012,32, 32(1):0125001-1-0125001-6, 0125001-1-0125001-6.
APA 魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川.(2012).双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究.光学学报,32(1),0125001-1-0125001-6.
MLA 魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川."双层堆垛长波长InAs/GaAs量子点发光性质研究".光学学报 32.1(2012):0125001-1-0125001-6.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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