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低密度InAs/GaAs量子点生长及其单光子源器件工艺研究

文献类型:学位论文

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作者李密锋
学位类别博士
答辩日期2013-05-24 ; 2013-05-24
文献子类博士
授予单位中国科学院研究生院 ; 中国科学院研究生院
授予地点北京 ; 北京
导师牛智川 ; 牛智川
关键词单光子源 自组织量子点 低密度 耦合 分子束外延 梯度分布 微区光谱 微柱形微腔 单光子源 自组织量子点 低密度 耦合 分子束外延 梯度分布 微区光谱 微柱形微腔
学位专业微电子学与固体电子学
学位专业微电子学与固体电子学
学科主题半导体材料 ; 半导体器件 ; 半导体材料 ; 半导体器件
公开日期2013-06-03 ; 2013-06-03
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24135]  
专题半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李密锋. 低密度InAs/GaAs量子点生长及其单光子源器件工艺研究, 低密度InAs/GaAs量子点生长及其单光子源器件工艺研究[D]. 北京, 北京. 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院. 2013, 2013.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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