低密度InAs/GaAs量子点生长及其单光子源器件工艺研究
文献类型：学位论文
| ; | |
| 作者 | 李密锋 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2013-05-24 ; 2013-05-24 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 ; 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 ; 北京 |
| 导师 | 牛智川 ; 牛智川 |
| 关键词 | 单光子源 自组织量子点 低密度 耦合 分子束外延 梯度分布 微区光谱 微柱形微腔 单光子源 自组织量子点 低密度 耦合 分子束外延 梯度分布 微区光谱 微柱形微腔 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 学科主题 | 半导体材料 ; 半导体器件 ; 半导体材料 ; 半导体器件 |
| 公开日期 | 2013-06-03 ; 2013-06-03 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24135]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李密锋. 低密度InAs/GaAs量子点生长及其单光子源器件工艺研究, 低密度InAs/GaAs量子点生长及其单光子源器件工艺研究[D]. 北京, 北京. 中国科学院研究生院, 中国科学院研究生院. 2013, 2013. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。