射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达 |
| 刊名 | 纳米技术与精密工程
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 10期号:2页码:160-164 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | CSCD |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2013-06-03 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/24139]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达. 射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性[J]. 纳米技术与精密工程,2012,10(2):160-164. |
| APA | 梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达.(2012).射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性.纳米技术与精密工程,10(2),160-164. |
| MLA | 梁继然,胡明,阚强,后顺保,梁秀琴,陈弘达."射频磁控溅射纳米二氧化钒薄膜的电致相变特性".纳米技术与精密工程 10.2(2012):160-164. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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