Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications
文献类型：期刊论文
| 作者 | Dong HW ; Zhao YW ; Jiao JH ; Zeng YP ; Li JM ; Lin LY |
| 刊名 | chinese science bulletin
 |
| 出版日期 | 2003 |
| 卷号 | 48期号:4页码:313-314 |
| 关键词 | SEMIINSULATING INP WAFER FE PHOTOLUMINESCENCE UNIFORMITY VAPOR |
| ISSN号 | 1001-6538 |
| 通讯作者 | dong hw,chinese acad sci,inst semicond,ctr mat sci,beijing 100083,peoples r china. |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2010-08-12 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/11640]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Dong HW,Zhao YW,Jiao JH,et al. Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications[J]. chinese science bulletin,2003,48(4):313-314. |
| APA | Dong HW,Zhao YW,Jiao JH,Zeng YP,Li JM,&Lin LY.(2003).Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications.chinese science bulletin,48(4),313-314. |
| MLA | Dong HW,et al."Undoped semi-insulating indium phosphide (InP) and its applications".chinese science bulletin 48.4(2003):313-314. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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