电磁场中浮区熔化单晶体(或定向凝固)材料制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 葛云龙, 杨院生, 焦育宁, 刘清民, 刘传胜 and 胡壮麒 |
| 发表日期 | 1994-06-29 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于单晶材料的制备方法,其工艺方法是单晶浮区熔化的熔池内施加电磁场,电磁场为直流电产生的恒稳磁场或交流电产生的交变磁场,料棒送进速度和提拉速度(晶体生长速度)连续可调,料棒和单晶体在磁场中作轴向旋转,采用稳定的机械装置提拉出单晶。优点是：有效的克服了对已有各种浮区熔化晶体生产造成的缺陷——重力对流、温差热对流和表面张力对流对晶体生长所造成的破坏。 |
| 公开日期 | 1994-06-29 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1088634 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/65919]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 葛云龙, 杨院生, 焦育宁, 刘清民, 刘传胜 and 胡壮麒. 电磁场中浮区熔化单晶体(或定向凝固)材料制备方法. 1994-06-29. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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