电弧离子镀膜装置
文献类型：专利
| 作者 | 赵彦辉, 肖金泉, 杜昊, 华伟刚, 于宝海, 宫骏 and 孙超 |
| 发表日期 | 2011-03-16 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本实用新型属于材料表面改性领域,涉及一种用于长管内壁镀膜的磁场和电场增强的电弧离子镀膜装置。通过在电弧离子镀过程中采用磁场约束和控制等离子体束流运动轨迹,在电弧离子镀沉积装置中设置两套磁场发生装置,一套放在真空室外的等离子体传输通道上,即用磁场对等离子体束流进行聚焦,约束等离子体束流传输时的横截面直径和传输效率,另一套放置于真空室内的管状工件外侧,引导等离子体束流沿着管状工件中心轴向方向扩散；在电弧离子镀中利用电场增强是用电场对等离子体实现加速定向流动,在工件内部设置脉冲电场；利用磁场和电场对等离子体束流的约束和控制,实现等离子体在管内壁沉积薄膜,适用于作为服役表面的管状工件的内壁表面镀膜。 |
| 公开日期 | 2011-03-16 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201762438U |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/65922]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵彦辉, 肖金泉, 杜昊, 华伟刚, 于宝海, 宫骏 and 孙超. 电弧离子镀膜装置. 2011-03-16. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。