浮区熔化单晶体材料制备装置
文献类型：专利
| 作者 | 葛云龙, 杨院生, 焦育宁, 刘清民, 刘传胜 and 胡壮麒 |
| 发表日期 | 1993-12-01 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本结构属于单晶材料制备装置,其结构是在原料棒与单晶中间的熔区两侧加有热源,与热源光束垂直同时与料棒垂直且在熔区两侧加有磁极,使熔区内形成均匀磁场,磁场为环形磁铁,在环形磁铁的中间绕有线圈,磁场为恒定磁场,也可为交变磁场,磁极放在底座上。其优点是：把恒稳或交变磁场施加到浮区熔池上,固熔体置于外加磁场中,其流动便出现感生电流和磁场,以形成电磁制动力,保证晶体稳定生长,单晶质量好。 |
| 公开日期 | 1993-12-01 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN2148081 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/65977]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 葛云龙, 杨院生, 焦育宁, 刘清民, 刘传胜 and 胡壮麒. 浮区熔化单晶体材料制备装置. 1993-12-01. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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