溅射法沉积难熔金属碳化物纳米晶
文献类型：专利
| 作者 | 姜洪刚, 佟华宇, 丁炳哲, 宋启洪 and 胡壮麒 |
| 发表日期 | 1994-12-07 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 一种金属碳化物纳米晶的制备方法,适合于难熔金属如钛、铌、钽、钼、钨,其特征在于工艺过程和参数如下：用机械泵和扩散泵将真空抽到10－5—10－6Torr；充氩气；用纯难熔金属作靶,靶极距50～80mm,无外界加热和冷却,直接溅射沉积。本发明工艺简单易行。 |
| 公开日期 | 1994-12-07 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1096061 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66096]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姜洪刚, 佟华宇, 丁炳哲, 宋启洪 and 胡壮麒. 溅射法沉积难熔金属碳化物纳米晶. 1994-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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