可调速调幅的旋转磁场控制的电弧离子镀弧源
文献类型：专利
| 作者 | 肖金泉, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 赵彦辉, 华伟刚 and 闻立时 |
| 发表日期 | 2008-12-10 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种可调速调幅的旋转磁场控制 的电弧离子镀弧源。在靶材周围空间设有旋转磁场发生装置,旋转磁场发生装置 为采用相差一定均匀角度、相互连接在一起的几个磁极均匀布在同一圆周上,磁 极数量为4n或者3n,n≥1,形成一个整体的电磁回路骨架,励磁线圈套在磁极 上或者嵌在相邻磁极之间的槽隙内,采用相位差90°的两相或者相位差120°的 三相励磁顺序供电,在磁极包围的空间内产生可调旋转磁场。本实用新型通过可 调速调幅的旋转磁场控制弧斑的运动,可以改善弧斑的放电形式和工作稳定性, 提高靶材刻蚀均匀性和靶材利用率,减少... |
| 公开日期 | 2008-12-10 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201162037 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66133]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖金泉, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 赵彦辉, 华伟刚 and 闻立时. 可调速调幅的旋转磁场控制的电弧离子镀弧源. 2008-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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