纳米非晶原位合成氮化硅晶须
文献类型：专利
| 作者 | 梁勇, 李亚利, 郑丰 and 肖克沈 |
| 发表日期 | 1996-01-03 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 一种制备Si3N4晶须的方法,其特征在于：以Si／N／C粉为原料,在氮气氛下经热解形成Si3N4晶须；其特征反应式为：$&Si／N／C＋表面O→Si3N4(晶粒)＋SiO(g)＋CO(g)$&3SiO(g)+3CO(g)+2N2(g)→Si3N4(W)+3CO2(g)$粉体组成为SiNxCy0．1≤X≤1,1≤y≤2,表面吸附氧范围5... |
| 公开日期 | 1996-01-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1114368 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66224]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁勇, 李亚利, 郑丰 and 肖克沈. 纳米非晶原位合成氮化硅晶须. 1996-01-03. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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