耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置
文献类型：专利
| 作者 | 肖金泉, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 杨英, 赵彦辉, 杜昊 and 闻立时 |
| 发表日期 | 2008-12-03 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种耦合磁场辅助电弧离子镀沉 积装置,用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高 靶材刻蚀均匀性。本实用新型电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套 放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的 耦合磁场辅助对基体进行沉积。本实用新型通过两套耦合的磁场发生装置产生的 耦合磁场,解决了传统工艺等离子在传输空间分布的不均匀性,提高了薄膜的沉 积速率和沉积均匀性。同时可以减少靶材颗粒的发射和薄膜中大颗粒的含量,提 高薄膜质量,拓展了制备工艺参数的范围,为制备... |
| 公开日期 | 2008-12-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN201158701 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66259]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 肖金泉, 郎文昌, 孙超, 宫骏, 杨英, 赵彦辉, 杜昊 and 闻立时. 耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置. 2008-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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