微电子封装中焊料凸点/金属化层连接结构体及其应用
文献类型：专利
| 作者 | 祝清省, 刘海燕, 郭敬东 and 尚建库 |
| 发表日期 | 2012-04-18 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及微电子封装领域的微互联技术,具体地说是一种可焊性良好的微电子封装中焊料凸点/金属化(过渡)层连接结构体及其应用,适用于一般微电子连接中基板和印刷电路板焊盘上,以及芯片倒装焊互联中焊料凸点下的金属化过渡层的制作技术领域。该连接结构体为焊料凸点与金属化层连接而成,金属化层为铁、镍、钴元素共沉积的合金层,铁重量百分比范围为59-69％,镍重量百分比范围为31-41％,其余为钴；焊料为熔点相对较高的锡-银或者锡-银-铜系无铅焊料合金。本发明采用电镀的方法在铜(或镍)层上镀铁镍钴合金层。相对铁镍镀层,少量钴的添加可以允许铁、镍含量比例在更宽的范围内保持较低的膨胀系数和在较宽的温度范围内保持恒定... |
| 公开日期 | 2012-04-18 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN102420203A |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66376]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 祝清省, 刘海燕, 郭敬东 and 尚建库. 微电子封装中焊料凸点/金属化层连接结构体及其应用. 2012-04-18. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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