氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘畅, 张艳丽, 王兆钰 and 成会明 |
| 发表日期 | 2009-08-26 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及纳米电缆的合成技术,特别提供了一种电弧放电法原位合成无定 形氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的制备方法。采用阴、阳极直流电弧放 电的方式原位制备；阳极为由石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂压制而成的消耗 性阳极,起弧放电后,石墨、硅粉、催化剂、生长促进剂原料共蒸发,原位合成 出氧化硅包覆一根或几根单壁碳纳米管纳米电缆结构。氧化硅具有热稳定性好、 介电常数高、漏电流小、耐压强度高等特点,是纳米电缆及场效应管等纳米器件 中绝缘层的理想材料；此外,所研制纳米电缆的芯体仅由一根或几根单壁碳纳米 管构成,将有利于单壁碳纳米管纳米尺度效应的发... |
| 公开日期 | 2009-08-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101513997 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66417]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘畅, 张艳丽, 王兆钰 and 成会明. 氧化硅包覆单壁碳纳米管纳米电缆结构的合成方法. 2009-08-26. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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