一种Cr-O-N活性扩散阻挡层及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 孙超, 李伟洲, 王启民, 姚勇, 鲍泽斌, 刘山川, 宫骏 and 闻立时 |
| 发表日期 | 2008-12-03 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及涂层技术,具体地说是一种Cr-O-N活性扩散阻挡层及其制备方 法。采用电弧离子镀技术,以纯铬为靶材,通过控制反应过程中O2和N2的流量, 获得在高温氧化情况下能有效降低涂层与高温合金基体间金属元素互扩散的阻挡 层；在阻挡层上沉积MCrAlY涂层作为抗氧化涂层。本发明所涉及的Cr-O-N活 性扩散阻挡层组织致密,与基体结合良好,工艺简单,制备成本低,是优良的扩 散阻挡层。本发明适用于基体为镍基、钴基或铁基高温合金。 |
| 公开日期 | 2008-12-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101314854 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66456]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙超, 李伟洲, 王启民, 姚勇, 鲍泽斌, 刘山川, 宫骏 and 闻立时. 一种Cr-O-N活性扩散阻挡层及制备方法. 2008-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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