一种Ta2AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 周延春, 胡春峰 and 包亦望 |
| 发表日期 | 2007-12-05 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种原位反应热压制备Ta2AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法。 所述Ta2AlC纳米层状陶瓷属六方晶系,空间群为P63/mmc,单胞晶格常数a为 3.08,c为13.85,理论密度为11.52g/cm3。其晶体结构中Al和Ta以较弱的 共价键相结合,使Ta2AlC在变形时易沿[0001]方向在此处产生剪切变形,表现一 定的显微塑性。它是优良的热电导体,易加工和对热震不敏感,是潜在的高温结 构与功能材料。单相Ta2 |
| 公开日期 | 2007-12-05 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101081737 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66484]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春, 胡春峰 and 包亦望. 一种Ta2AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法. 2007-12-05. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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