一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张劲松, 田冲, 曹小明 and 杨振明 |
| 发表日期 | 2012-09-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法,该种纯质碳化硅过滤膜层具有高通孔隙率、低压降、强度高、抗热冲击性能好、使用温度高的特点,制备方法易于实现,能够保证产品性能。纯质碳化硅过滤膜层的组成为纯质SiC,表面膜层由细颗粒碳化硅堆积结合而成,孔径0.1～20μm,膜层孔隙率在25～50％之间。采用细碳化硅颗粒、硅粉、造孔剂添加剂及有机树脂配制膜层原料,采用喷涂或浸渍方法表面制备膜层,经干燥后,烧结得到纯质碳化硅膜层。本发明可在氧化气氛下使用,也可以在还原气氛下使用,耐酸、碱腐蚀性能强,可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净... |
| 公开日期 | 2012-09-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN102659447A |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66582]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松, 田冲, 曹小明 and 杨振明. 一种纯质碳化硅过滤膜层及其制备方法. 2012-09-12. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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