一种纯质碳化硅膜管支撑体及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张劲松, 田冲, 杨振明 and 曹小明 |
| 发表日期 | 2012-09-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于多孔陶瓷材料及其制备技术领域,具体为一种纯质碳化硅膜管支撑体及其制备方法。纯质碳化硅膜管支撑体的组成为纯质SiC,支撑体由粗颗粒5～400μm碳化硅堆积结合而成,具有均匀连通孔隙结构,平均孔径5～120μm,整体气孔率在25～50％之间。以粗颗粒碳化硅、氧化硅或硅粉为基本材料,利用高分子材料作为结合剂,混合配料,利用冷等静压包套压制支撑体,经烧结得到纯质碳化硅膜管支撑体。本发明可在氧化气氛下使用,也可以在还原气氛下使用,耐酸、碱腐蚀性能强,可用于煤气化化工及IGCC、PFBC煤气化发电、高温烟气、汽车尾气、水净化等各种高、低温流体过滤净化。 |
| 公开日期 | 2012-09-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN102659446A |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66583]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松, 田冲, 杨振明 and 曹小明. 一种纯质碳化硅膜管支撑体及其制备方法. 2012-09-12. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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