一种单分散纳米铈离子改性介孔氧化硅材料合成方法
文献类型：专利
| 作者 | 张劲松, 梁艳 and 张军旗 |
| 发表日期 | 2005-06-22 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明属于无机纳米材料技术领域,具体涉及一种单分散纳米Ce-MCM-41分子筛的合成方法。它以阳离子表面活性剂为模板剂,三嵌段共聚物为助剂,硝酸亚铈为铈源,在温和碱性条件下,形成溶胶反应液,进而合成出单分散纳米Ce-MCM-41分子筛。该方法合成的Ce-MCM-41分子筛具有纳米级的均匀球形颗粒,单分散,具有较好的有序介孔孔道,具有较高的比表面积和较大的孔体积,因而在催化、大分子分离、传感器、光学材料、生物芯片、有机-无机纳米复合材料以及化学机械抛光磨料等方面具有广阔的应用前景。 |
| 公开日期 | 2005-06-22 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN1629071 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66646]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张劲松, 梁艳 and 张军旗. 一种单分散纳米铈离子改性介孔氧化硅材料合成方法. 2005-06-22. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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