一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷块体材料的方法
文献类型：专利
| 作者 | 周延春, 孙子其 and 李美栓 |
| 发表日期 | 2008-03-19 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明专利 |
| 权利人 | 中国科学院金属研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及高纯Y2SiO5新陶瓷材料的制备技术,具体为一种低温制备大块致 密高纯单相Y2SiO5陶瓷材料的方法。在原料Y2O3和SiO2混合物中加入添加剂 LiYO2,添加剂的含量为Y2O3、SiO2和LiYO2总质量的0.2～10.0％。混合均匀后, 进行煅烧,煅烧温度为1250℃～1600℃,煅烧时间为1～... |
| 公开日期 | 2008-03-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN101143782 |
| 源URL | [http://210.72.142.130/handle/321006/66684]  |
| 专题 | 金属研究所_中国科学院金属研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周延春, 孙子其 and 李美栓. 一种低温制备大块致密高纯单相Y2SiO5陶瓷块体材料的方法. 2008-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：金属研究所
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